Microchip Gate teilbar Multi-Purpose Flash Flash-Speicher 4 MB, 4M x 8, Parallel, 55.70 ns, PDIP, 32-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 352-119
- Herst. Teile-Nr.:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- Marke:
- Microchip
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Organisation | 4M x 8 | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4.5V | |
| Timing Typ | Automatisches Schreibtiming | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Breite | 0.55 in | |
| Höhe | 0.2in | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 1.65in | |
| Zugriffszeit max. | 55.70ns | |
| Serie | Multi-Purpose Flash | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Versorgungsstrom | 25mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Pinanzahl 32 | ||
Organisation 4M x 8 | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 4.5V | ||
Timing Typ Automatisches Schreibtiming | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Breite 0.55 in | ||
Höhe 0.2in | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 1.65in | ||
Zugriffszeit max. 55.70ns | ||
Serie Multi-Purpose Flash | ||
Automobilstandard Nein | ||
Versorgungsstrom 25mA | ||
Der CMOS-Multi-Purpose-Flash (MPF) von Microchip wird mit der proprietären, leistungsstarken CMOS-Super-Flash-Technologie von SST hergestellt. Das Design der Split-Gate-Zelle und der Thick-Oxide-Tunnelinjektor erreichen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Der SST39SF040 schreibt (Programmieren oder Löschen) mit einer Spannungsversorgung von 4,5 bis 5,5 V und entspricht den JEDEC-Standard-Pinouts für x8-Speicher.
Hervorragende Zuverlässigkeit mit einer typischen Lebensdauer von 100000 Zyklen
Datenspeicherung für mehr als 100 Jahre
Geringe Leistungsaufnahme bei 14 MHz
Aktiver Strom 10 mA typisch
Standby-Strom 30 μA typisch
Sektor-Löschfunktion mit einheitlichen 4-KByte-Sektoren
Schnelle Lesezugriffszeit 55 ns und 70 ns
Verriegelte Adresse und Daten
Automatisches Schreib-Timing mit interner VPP-Generierung
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