Microchip Flash-Speicher 4MBit, 1 M x 4 Bit, 2 M x 2 Bit, 4 M x 1 Bit, SPI, SQI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 111-5574
- Herst. Teile-Nr.:
- SST26WF040B-104I/SN
- Marke:
- Microchip
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- SST26WF040B-104I/SN
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Speicher Größe | 4MBit | |
| Interface-Typ | SPI, SQI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 1 M x 4 Bit, 2 M x 2 Bit, 4 M x 1 Bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,65 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,95 V | |
| Abmessungen | 4.9 x 6 x 1.25mm | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 1 bit, 2 bit, 4 bit | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 1M, 2M, 4M | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Speicher Größe 4MBit | ||
Interface-Typ SPI, SQI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 1 M x 4 Bit, 2 M x 2 Bit, 4 M x 1 Bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Arbeitsspannnung min. 1,65 V | ||
Arbeitsspannnung max. 1,95 V | ||
Abmessungen 4.9 x 6 x 1.25mm | ||
Anzahl der Bits pro Wort 1 bit, 2 bit, 4 bit | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 1M, 2M, 4M | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Serieller Vierfach-E/A-(SQI)-Flash-Speicher, SuperFlash® SST26WF040B/080B/016B
Die Produktfamilie SST26WFxxxB von Microchip besteht aus seriellen Vierfach-E/A-(SQI)-Flash-Speichergeräten, die in 4-, 8- und 16-Bit-Varianten erhältlich sind. Diese Geräte unterstützen die vollständige Befehlssatz-Kompatibilität mit dem Protokoll des Serial Peripheral Interface (SPI) und ermöglichen eine minimale Latenz bei direkter Ausführung (Execute-in-Place, XIP), ohne dass der Code auf einem SRAM abgeschattet werden muss. Die SST26WFxxxB-Geräte weisen eine niedrige Leistungsaufnahme auf, wodurch sie für tragbare batteriebetriebene Anwendungen geeignet sind.
Merkmale
Betriebsspannungsbereich 1,6 bis 1,95 V
Taktfrequenz max. 104 MHz
Serielle Schnittstellenarchitektur
Niedriger Energieverbrauch: aktiver Lesestrom: 15 mA (typisch bei 104 MHz), Standby-Strom: 10 μA (typisch)
Burst-Modi: durchgehend linearer Burst, linearer Burst mit 8/16/32/64 Byte zum Umwickeln
Page-Programm: 256 Byte pro Seite im x1- oder x4-Modus
Zeit für schnelles Löschen: Löschen Sektor/Block 18 ms (typ.), 25 ms (max.); Löschen Schaltkreis 35 ms (typ.), 50 ms (max.)
Flexibles Löschen möglich
Schreibende-Erkennung
Schreiben-Anhalten
Softwareschutz
Modus: Software-Reset (RST)
SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters, seriell erkennbarer Flash-Parameter)
Taktfrequenz max. 104 MHz
Serielle Schnittstellenarchitektur
Niedriger Energieverbrauch: aktiver Lesestrom: 15 mA (typisch bei 104 MHz), Standby-Strom: 10 μA (typisch)
Burst-Modi: durchgehend linearer Burst, linearer Burst mit 8/16/32/64 Byte zum Umwickeln
Page-Programm: 256 Byte pro Seite im x1- oder x4-Modus
Zeit für schnelles Löschen: Löschen Sektor/Block 18 ms (typ.), 25 ms (max.); Löschen Schaltkreis 35 ms (typ.), 50 ms (max.)
Flexibles Löschen möglich
Schreibende-Erkennung
Schreiben-Anhalten
Softwareschutz
Modus: Software-Reset (RST)
SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters, seriell erkennbarer Flash-Parameter)
Flash-Speicher, Microchip