Infineon Flash-Speicher 4Gbit, 256 M x 16 bit, 512 M x 8 bit, Parallel, 30μs, TSOP, 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 124-2674
- Herst. Teile-Nr.:
- S34ML04G200TFI000
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 124-2674
- Herst. Teile-Nr.:
- S34ML04G200TFI000
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 4Gbit | |
| Interface-Typ | Parallel | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Organisation | 256 M x 16 bit, 512 M x 8 bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | NAND | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Abmessungen | 18.5 x 12.1 x 1.05mm | |
| Anzahl der Wörter | 256M, 512M | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Zugriffszeit max. | 30µs | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8, 16 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 4Gbit | ||
Interface-Typ Parallel | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Organisation 256 M x 16 bit, 512 M x 8 bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ NAND | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Abmessungen 18.5 x 12.1 x 1.05mm | ||
Anzahl der Wörter 256M, 512M | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Zugriffszeit max. 30µs | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8, 16 | ||