- RS Best.-Nr.:
- 181-1593
- Herst. Teile-Nr.:
- S25FL128LAGNFI010
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 3)
4,407 €
(ohne MwSt.)
5,244 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
3 - 27 | 4,407 € | 13,221 € |
30 - 72 | 4,07 € | 12,21 € |
75 - 147 | 3,72 € | 11,16 € |
150 - 297 | 3,443 € | 10,329 € |
300 + | 3,153 € | 9,459 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 181-1593
- Herst. Teile-Nr.:
- S25FL128LAGNFI010
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 256 K ´ 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Organisiert als 256 K ´ 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 128MBit |
Interface-Typ | Quad-SPI |
Gehäusegröße | WSON |
Pinanzahl | 8 |
Organisation | 8M x 16 Bit |
Montage-Typ | SMD |
Zellen-Typ | NOR |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Block-Organisation | Symmetrisch |
Länge | 5.28mm |
Höhe | 1.9mm |
Breite | 5.28mm |
Abmessungen | 5.28 x 5.28 x 1.9mm |
Serie | S25FL |
Anzahl der Wörter | 16M |
Zugriffszeit max. | 8ns |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Automobilstandard | AEC-Q100 |
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