Cypress Semiconductor Flash-Speicher 32MBit, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8262
- Herst. Teile-Nr.:
- S29JL032J70TFI310
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 181-8262
- Herst. Teile-Nr.:
- S29JL032J70TFI310
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 32MBit | |
| Interface-Typ | Parallel | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Organisation | 4M x 8 Bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Abmessungen | 18.4 x 12 x 1.05mm | |
| Anzahl der Wörter | 4M | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 32MBit | ||
Interface-Typ Parallel | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Organisation 4M x 8 Bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Abmessungen 18.4 x 12 x 1.05mm | ||
Anzahl der Wörter 4M | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Leistungsmerkmale
Hochleistung
Schnelle Zugriffszeiten bis 60 ns
Programmzeit: 6 μs / Wort (typ.) über beschleunigte Programmierfunktion
Extrem niedriger Energieverbrauch (typische Werte)
2 mA aktiver Lesestrom bei 1 MHz
10 mA aktiver Lesestrom bei 5 MHz
200 nA im automatischen oder regulären Standby-Betrieb
Lebensdauer in Ladezyklen: 100000 Zyklen pro Sektor
Datenspeicherung: 20 Jahre (typ.)
Hochleistung
Schnelle Zugriffszeiten bis 60 ns
Programmzeit: 6 μs / Wort (typ.) über beschleunigte Programmierfunktion
Extrem niedriger Energieverbrauch (typische Werte)
2 mA aktiver Lesestrom bei 1 MHz
10 mA aktiver Lesestrom bei 5 MHz
200 nA im automatischen oder regulären Standby-Betrieb
Lebensdauer in Ladezyklen: 100000 Zyklen pro Sektor
Datenspeicherung: 20 Jahre (typ.)
