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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	256MBit
	Interface-Typ	SPI
	Gehäusegröße	SO
	Pinanzahl	16
	Organisation	32M x 8 Bit
	Montage-Typ	SMD
	Zellen-Typ	NOR
	Arbeitsspannnung min.	2,7 V
	Arbeitsspannnung max.	3,6 V
	Abmessungen	10.3 x 7.5 x 2.55mm
	Betriebstemperatur max.	+105 °C
	Anzahl der Wörter	32M
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Betriebstemperatur min.	–40 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 256MBit
	Interface-Typ SPI
	Gehäusegröße SO
	Pinanzahl 16
	Organisation 32M x 8 Bit
	Montage-Typ SMD
	Zellen-Typ NOR
	Arbeitsspannnung min. 2,7 V
	Arbeitsspannnung max. 3,6 V
	Abmessungen 10.3 x 7.5 x 2.55mm
	Betriebstemperatur max. +105 °C
	Anzahl der Wörter 32M
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Betriebstemperatur min. –40 °C

Datasheet S25FL256SAGMFV001

CMOS-3.0-Volt-Kern mit vielseitiger E/A
SPI mit Multi-E/A
SPI-Taktpolarität und Phasenmodi 0 und 3
DDR-Option
Erweiterte Adressierung: 24- oder 32-Bit-Adressoptionen
Serieller Befehlssatz und Abmessungen kompatibel mit
SPI-Familien S25FL-A, S25FL-K und S25FL-P
Multi-E/A-Befehlssatz und Abmessungen kompatibel mit
S25FL-P SPI-Familie
Lesebefehle
Normal, Fast, Dual, Quad, Fast DDR, Dual DDR, Quad DDR
Autofoot - Ein- oder Reset durchführen und einen normalen oder vierfachen Lesebefehl automatisch an einer vorgewählten Adresse ausführen
CFI-Daten (Common Flash Interface) für Konfigurationsinformationen.
Programmierung (1,5 Mbit/s)
256- oder 512-Byte-Seitenprogrammierung Pufferoptionen
Quad-Input-Page-Programmierung (QPP) für langsame Taktsysteme
Automatische ECC-interne Hardware-Fehlerkorrekturcode-Generierung mit Einzelbit-Fehlerkorrektur
Löschen (0,5 bis 0,65 Mbit/s)
Option für Hybridsektorgröße - physischer Satz von 32 4-KB-Sektoren Top oder Bottle of Address Space mit allen verbleibenden Sektoren von 64 KB, für Kompatibilität mit S25-FL-Geräten der vorherigen Generation
Einheitliche Sektoroption - Löschen Sie immer 256-KB-Blöcke für Soft ware Kompatibilität mit höherer Dichte und zukünftigen Geräten.
Lebensdauer des Rads
100.000 Program-Erase-Zyklen, minimale Datenspeicherung
20 Jahre Datenspeicherung, Minimum
Sicherheitsfunktionen
OTP-Array von 1024 Byte
Blockschutz:
Statusregister-Bits zur Steuerung des Schutzes gegen das Programmieren oder Löschen eines angrenzenden Bereichs von Sektoren.
Hardware- und Softwaresteuerungsoptionen
Advanced Sector Protection (ASP)
Schutz einzelner Sektoren durch Bootcode oder Passwort gesteuert
Cypress ® 65 nm MirrorBit
® -Technologie mit Eclipse ® -Architektur
Kernversorgungsspannung: 2,7 V bis 3,6 V
E/A-Versorgungsspannung: 1,65 V bis 3,6 V
So16- und FBGA-Gehäuse
Temperaturbereich/Güte:
Industrie (40 °C bis +85 °C)
Industrial Plus (40 °C bis +105 °C)
Gehäuse (alle bleifrei)
16-adriges SOIC (300 mil)
WSON 6  8 mm
BGA-24 6  8 mm
±5 Kugel- und 4  6-Kugelflächenoptionen
Bekannte gute Matrize (KGD) und bekannt geprüfte Matrize

Infineon Flash-Speicher 256MBit, 32M x 8 Bit, SPI, SO, 16-Pin