Infineon NOR S29AL016J Flash-Speicher 16 MB, 2M x 8 Bit, CFI, 70 ns, TSOP, 48-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8788
- Herst. Teile-Nr.:
- S29AL016J70TFI023
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 16MB | |
| Schnittstellentyp | CFI | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 48 | |
| Organisation | 2M x 8 Bit | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | NOR | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 12mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 12 mm | |
| Anzahl der Wörter | 2M | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Versorgungsstrom | 12mA | |
| Serie | S29AL016J | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 16MB | ||
Schnittstellentyp CFI | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 48 | ||
Organisation 2M x 8 Bit | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ NOR | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 12mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 12 mm | ||
Anzahl der Wörter 2M | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Versorgungsstrom 12mA | ||
Serie S29AL016J | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der S29AL016J ist ein 16-Mbit/s-3.0-Flash-Speicher, der als 2.097152 Byte oder 1.048.576 Wörter organisiert ist. Das Gerät wird in 48-Ball Fine-pitch BGA (0,8 mm Rastermaß), 64-Ball Fortified BGA (1,0 mm Rastermaß) und 48-poligen TSOP-Gehäusen angeboten. Die wortweiten Daten (x16) werden auf DQ15-DQ0 angezeigt, die byteweiten (x8) Daten auf DQ7-DQ0. Dieses Gerät wurde für die systeminterne Programmierung mit der 3,0-Volt-VCC-Standardversorgung des Systems entwickelt. Für Schreib- oder Löschvorgänge sind keine 12,0 V VPP oder 5,0 VCC erforderlich. Das Gerät kann auch in Standard-EPROM-Programmiergeräten programmiert werden.
Das Gerät bietet eine Zugriffszeit von 55 ns, sodass Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren ohne Wartezustände betrieben werden können. Zur Beseitigung von Bus-Konflikten verfügt das Gerät über separate Steuerelemente für Chip-Aktivierung (CE#), Schreibfreigabe (WE#) und Ausgangsfreigabe (OE#).
Die Geräteprogrammierung erfolgt durch Ausführen der Programmbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Program-Algorithmus ein interner Algorithmus gestartet, der automatisch die Programm-Impulsbreiten einstuft und den korrekten Zellenrand verifiziert. Der Unlock Bypass-Modus faster Programmierzeiten, da nur zwei Schreibzyklen zum Programmieren von Daten anstelle von vier benötigt werden.
Das Löschen des Geräts erfolgt durch Ausführen der Löschbefehlssequenz. Dadurch wird der Embedded Erase-Algorithmus gestartet, ein interner Algorithmus, der das Array automatisch vorprogrammiert (wenn es nicht bereits programmiert ist), bevor der Löschvorgang ausgeführt wird. Während des Löschvorgangs setzt das Gerät automatisch eine Zeitmessung der Löschimpulsbreiten ein und prüft den korrekten Zellenrand. Das Hostsystem kann erkennen, ob ein Programm- oder Löschvorgang abgeschlossen ist, indem es den RY/BY#-Stift überwacht oder die Statusbits DQ7 (Data# Polling) und DQ6 (Toggle) liest. Nachdem ein Programm- oder Löschzyklus abgeschlossen ist, ist das Gerät bereit, Array-Daten zu lesen oder einen anderen Befehl zu akzeptieren.
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