Microchip Gate teilbar SST25PF040C Flash-Speicher 4 MB, 512k x 8, SPI, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 264-8824
- Herst. Teile-Nr.:
- SST25PF040CT-40I/SN
- Marke:
- Microchip
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- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Flash-Speicher | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 512k x 8 | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Zellen-Typ | Gate teilbar | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.3V | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Betriebstemperatur min. | -45°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | |
| Breite | 5 mm | |
| Versorgungsstrom | 12mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Serie | SST25PF040C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Flash-Speicher | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 512k x 8 | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Zellen-Typ Gate teilbar | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.3V | ||
Timing Typ Synchron | ||
Betriebstemperatur min. -45°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen ISO/TS 16949, RoHS, JEDEC | ||
Breite 5 mm | ||
Versorgungsstrom 12mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Serie SST25PF040C | ||
Der serielle Flash von Microchip verfügt über eine vieradrige, SPI-kompatible Schnittstelle, die ein Paket mit geringer Stiftzahl ermöglicht, das weniger Platz auf der Platine einnimmt und letztendlich die Gesamtkosten des Systems senkt. Dieses Gerät ist mit einer erweiterten Betriebsspannung von 2,3–3,6 V erweitert. Dieser serielle Flash-Speicher wird mit proprietärer, leistungsstarker CMOS-Super-Flash-Technologie hergestellt. Die Split-Gate-Zellenbauweise und der Dickoxid-Tunneling-Injektor erreichen eine bessere Zuverlässigkeit und Fertigungsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Ansätzen. Es verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit erheblich und senkt gleichzeitig den Energieverbrauch.
Serielle Schnittstellenarchitektur – SPI-kompatibel: Modus 0 und Modus 3
E/A-Unterstützung mit zwei Eingängen/Ausgängen
Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz bis zu 40 MHz
Lebensdauer: 100000 Zyklen (typisch)
Mehr als 20 Jahre Datenspeicherung
Software-Schreibschutz - Schreibschutz durch Block-
Industrieller Temperaturbereich von –40 °C bis +85 °C
RoHS-konform
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