ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 168-5285
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 61
- Marke:
- ams OSRAM
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkennbare Spektren | IR, Sichtbares Licht | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusetyp | TO5 | |
| Montage Typ | THT | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 9.5mm | |
| Breite | 9.5mm | |
| Höhe über Panel | 3.7mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.62A/W | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkennbare Spektren IR, Sichtbares Licht | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusetyp TO5 | ||
Montage Typ THT | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 9.5mm | ||
Breite 9.5mm | ||
Höhe über Panel 3.7mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.62A/W | ||
Polarität Positiv | ||
PIN-Fotodiode, TO-39-Gehäuse
Die BPX 61 von OSRAM Opto Semiconductors ist eine Silizium-PIN-Fotodiode in einem hermetisch abgedichteten TO-39-Gehäuse. Sie wurde für Anwendungen mit einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm entwickelt. Geeignete Anwendungen für die Fotodiode BPX 61 umfassen: Industrieelektronik, Fotointerruptoren, IR-Fernbedienung und für Steuerungs-/und Antriebskreise.
Merkmale der Fotodiode BPX 61:
TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5)
Hermetisch abgedichteter Metallzylinder
Geeignet für Anwendungen bis zu 125 °C
Kurze Schaltzeit
TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5)
Hermetisch abgedichteter Metallzylinder
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IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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