- RS Best.-Nr.:
- 184-1893
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-5DPI
- Marke:
- OSI Optoelectronics
14 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück
27,23 €
(ohne MwSt.)
32,40 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | 27,23 € |
2 - 4 | 26,34 € |
5 + | 24,58 € |
- RS Best.-Nr.:
- 184-1893
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-5DPI
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Fotodioden der Serie OSI Photovoltaic
Bei der Serie Photovoltaic von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden. Diese universellen Fotodioden sind ideal für Anwendungen, die eine hohe Empfindlichkeit und mittlere Ansprechzeiten erfordern. Durch ihren Spektralempfindlichkeitsbereich (350-1100 nm) ist die normale Photovoltaic-Serie geeignet für sichtbare und IR-Anwendungen.
Die Photovoltaic-Serie bietet einen hohen Shuntwiderstand und ist rauscharm. Sie hat zudem langfristige Stabilität. Geeignete Anwendungen für die Photovoltaic-Serie umfassen Farbmessgeräte, Lichtmesser, Spektroskopiegeräte und die Fluoreszenzmessung.
Die Photovoltaic-Serie bietet einen hohen Shuntwiderstand und ist rauscharm. Sie hat zudem langfristige Stabilität. Geeignete Anwendungen für die Photovoltaic-Serie umfassen Farbmessgeräte, Lichtmesser, Spektroskopiegeräte und die Fluoreszenzmessung.
Merkmale der Serie Photovoltaic:
Extrem rauscharm
Hoher Nebenwiderstand
Breite Dynamik
Erhöhte Blauempfindlichkeit
Extrem rauscharm
Hoher Nebenwiderstand
Breite Dynamik
Erhöhte Blauempfindlichkeit
Hinweis
Diese Fotodioden sind nicht für negative Vorspannungen ausgelegt. Schon das Anlegen einer negativen Vorspannung von mehr als einigen Volt (>3 V) beschädigt sie dauerhaft.
Die planaren diffusen Silizium-Fotodioden der OSI Optoelectronics PIN-020A-Fotovoltaik-Serie werden für Anwendungen verwendet, die eine hohe Empfindlichkeit und mittlere Ansprechgeschwindigkeiten erfordern, mit einer zusätzlichen Empfindlichkeit im sichtbaren blauen Bereich für die blau verbesserte Serie. Diese Detektoren haben einen hohen Shunt-Widerstand und geringes Rauschen und weisen eine langfristige Stabilität auf. Der Abstand von der Top-of-Chip zur Top-of-Glasplatte beträgt 0,094 Zoll. Der Abstand von Top-of-Glas-Boden des Gehäuses beträgt 0,180 Zoll. Fensterdurchmesser 0,240 Zoll
Extrem rauscharm
Hoher Nebenwiderstand
Großer Dynamikbereich
Erhöhte Blauempfindlichkeit
Hoher Nebenwiderstand
Großer Dynamikbereich
Erhöhte Blauempfindlichkeit
Fotodioden, OSI Optoelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm |
Gehäusetyp | TO5 |
Montage Typ | THT |
Verstärkerfunktion | Nein |
Anzahl der Pins | 3 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 350nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Höhe über Panel | 0.18Zoll |
Durchmesser | 9.14mm |
Serie | Photoconductive |
Regelanstiegszeit | 12ns |
Verwandte Produkte
- OSI Optoelectronics SPOT Fotodiode 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 5-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR THT TO5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, THT...
- OSI Optoelectronics SPOT Fotodiode 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, SMD...
- OSI Optoelectronics DP Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin