OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode Sichtbares Licht, Infrarot 60 ° 850 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 652-0207
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
5,13 €
(ohne MwSt.)
6,105 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2.570 Einheit(en) mit Versand ab 30. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | 1,026 € | 5,13 € |
| 15 - 70 | 0,974 € | 4,87 € |
| 75 - 370 | 0,702 € | 3,51 € |
| 375 - 745 | 0,48 € | 2,40 € |
| 750 + | 0,40 € | 2,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 652-0207
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW 34 S
- Marke:
- OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSRAM Opto Semiconductors | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht, Infrarot | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | SMD | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Wellenlänge min. | 400nm | |
| erfasste Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 0.02μs | |
| Verstärkt | Nein | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 4.5mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Regelanstiegszeit | 0.02μs | |
| Polarität | Invertiert | |
| Leerlaufspannung | 330mV | |
| Dunkelstrom | 2nA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchschlagspannung | 16V | |
| Kurzschlussstrom | 80μA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSRAM Opto Semiconductors | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 850nm | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart SMD | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Wellenlänge min. 400nm | ||
erfasste Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 0.02μs | ||
Verstärkt Nein | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 4.5mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Regelanstiegszeit 0.02μs | ||
Polarität Invertiert | ||
Leerlaufspannung 330mV | ||
Dunkelstrom 2nA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchschlagspannung 16V | ||
Kurzschlussstrom 80μA | ||
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse
Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Verwandte Links
- OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode Sichtbares Licht SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode Infrarot Durchsteckmontage DIP-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode Sichtbares Licht SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
- Vishay BPW Fotodiode Sichtbares Licht Durchsteckmontage Flache Oberseite-Gehäuse 2-Pin
- ams OSRAM Fotodiode Ultraviolett Infrarot 60 ° 550 nm, Durchsteckmontage TO-39-Gehäuse 2-Pin
- OSRAM Opto Semiconductors SFH 3710 Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot Sichtbares Licht / 12.5 μA,
- OSRAM Opto Semiconductors SMD 120 ° Fototransistor Infrarot 2-Pin PLCC
- Vishay BPW Fotodiode Infrarot Durchsteckmontage Seitenansicht Kunststoff-Gehäuse 2-Pin