ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

RS Best.-Nr.:: 654-7892
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34 FAS-Z
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

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PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse

Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	880nm
Gehäusetyp	DIP
Montage Typ	SMD
Verstärkerfunktion	Nein
Anzahl der Pins	2
Diodenmaterial	Si
Wellenlänge min.	730nm
Wellenlänge max.	1100nm
Länge	4.5mm
Breite	4mm
Höhe über Panel	1.2mm
Spitzenphotosensibilität	0.65A/W
Polarität	Umgekehrt

RS Best.-Nr.:: 654-7892
Herst. Teile-Nr.:: BPW 34 FAS-Z
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