ams OSRAM Fotodiode Infrarot 60 ° 880 nm, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
654-7892
Herst. Teile-Nr.:
BPW 34 FAS-Z
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fotodiode

Erkannte Spektren

Infrarot

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

880nm

Gehäusegröße

DIP

Verpackungsart

Band und Rolle

Montageart

SMD

Anzahl der Pins

2

Wellenlänge min.

730nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

20ns

Verstärkt

Nein

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

4.5mm

Höhe

1.2mm

Durchschlagspannung

16V

Polarität

Invertiert

Leerlaufspannung

330mV

Regelanstiegszeit

20ns

Automobilstandard

Nein

Kurzschlussstrom

25μA

Dunkelstrom

2nA

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse


Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.

IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors


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