ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
654-7892
Herst. Teile-Nr.:
BPW 34 FAS-Z
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Erkennbare Spektren

IR

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

880nm

Gehäusetyp

DIP

Montage Typ

SMD

Verstärkerfunktion

Nein

Anzahl der Pins

2

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

730nm

Wellenlänge max.

1100nm

Länge

4.5mm

Breite

4mm

Höhe über Panel

1.2mm

Spitzenphotosensibilität

0.65A/W

Polarität

Umgekehrt

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse


Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.


IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors

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