ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8053
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 229 FA
- Marke:
- ams OSRAM
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- RS Best.-Nr.:
- 654-8053
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 229 FA
- Marke:
- ams OSRAM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusetyp | T1 | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 730nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Fallzeit typ. | 10ns | |
| Länge | 4mm | |
| Breite | 3mm | |
| Höhe über Panel | 5.2mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.6A/W | |
| Durchmesser | 3.1mm | |
| Regelanstiegszeit | 10ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusetyp T1 | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 730nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Fallzeit typ. 10ns | ||
Länge 4mm | ||
Breite 3mm | ||
Höhe über Panel 5.2mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.6A/W | ||
Durchmesser 3.1mm | ||
Regelanstiegszeit 10ns | ||
PIN-Fotodiode in 3-mm-Gehäuse (T-1)
Diese PIN-Fotodioden-Familie von OSRAM Opto Semiconductors befinden sich in durchkontaktierten 3-mm-Standardgehäusen (T-1). Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 0,56 x 0,56 mm². Die T-1-Fotodioden bieten einen sehr kurze Schaltzeit. Geeignete Anwendungen umfassen Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs- und Antriebskreise.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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