ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 654-8895
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 213 FA
- Marke:
- ams OSRAM
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- RS Best.-Nr.:
- 654-8895
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 213 FA
- Marke:
- ams OSRAM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 900nm | |
| Gehäusetyp | T1.3/4 | |
| Montage Typ | THT | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 750nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe über Panel | 9mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W | |
| Polarität | Positiv | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 900nm | ||
Gehäusetyp T1.3/4 | ||
Montage Typ THT | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 750nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 5.9mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe über Panel 9mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.65A/W | ||
Polarität Positiv | ||
PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm)
Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
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