OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, SMD BNC-Gehäuse 1-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 848-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-10D
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
153,93 €
(ohne MwSt.)
183,18 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 3 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 153,93 € |
| 5 - 9 | 147,61 € |
| 10 + | 145,46 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 848-6288
- Herst. Teile-Nr.:
- PIN-10D
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 970nm | |
| Gehäusetyp | BNC | |
| Montage Typ | SMD | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Anzahl der Pins | 1 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 350nm | |
| Wellenlänge max. | 1100nm | |
| Länge | 24.77mm | |
| Höhe über Panel | 26.16mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 0.65A/W | |
| Serie | Photoconductive | |
| Polarität | Umgekehrt | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 970nm | ||
Gehäusetyp BNC | ||
Montage Typ SMD | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Anzahl der Pins 1 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 350nm | ||
Wellenlänge max. 1100nm | ||
Länge 24.77mm | ||
Höhe über Panel 26.16mm | ||
Spitzenphotosensibilität 0.65A/W | ||
Serie Photoconductive | ||
Polarität Umgekehrt | ||
- Ursprungsland:
- MY
Fotodioden der Serie Photoconductive von OSI
Bei der Serie Photoconductive von OSI Optoelectronics handelt es sich um planare diffuse Silizium-Fotodioden für Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und hoher Empfindlichkeit. Durch ihren Spektralbereich (350–1100 nm) ist die Photoconductive-Serie geeignet für sichtbare Anwendungen und Anwendungen nahe am IR-Licht. Diese Universalfotodioden eignen sich für Anwendungen wie Impulsdetektoren, Strichcodelesegeräte, optische Fernsteuerungen, optische Kommunikation, medizintechnische Geräte und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.
Merkmale der Serie Photoconductive:
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Niedriger Dunkelstrom
Großer Dynamikbereich
Hohe Empfindlichkeit
Niedrige Kapazität
Niedriger Dunkelstrom
Großer Dynamikbereich
Fotodioden, OSI Optoelectronics
Verwandte Links
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, SMD BNC-Gehäuse 1-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, THT TO18-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR THT TO5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics Photoconductive Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 3-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, SMD BNC-Gehäuse 1-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO8-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics PIN Fotodiode IR 970nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
- OSI Optoelectronics D Fotodiode IR 970nm Si, THT TO18-Gehäuse 3-Pin
