OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 848-6291
- Herst. Teile-Nr.:
- APD10-8-150-T52
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 848-6291
- Herst. Teile-Nr.:
- APD10-8-150-T52
- Marke:
- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkennbare Spektren | IR | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 800nm | |
| Gehäusetyp | TO-52 | |
| Verstärkerfunktion | Nein | |
| Montage Typ | THT | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| Diodenmaterial | Si | |
| Wellenlänge min. | 600nm | |
| Höhe über Panel | 3.25mm | |
| Spitzenphotosensibilität | 50A/W | |
| Durchmesser | 5.4mm | |
| Polarität | Umgekehrt | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkennbare Spektren IR | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 800nm | ||
Gehäusetyp TO-52 | ||
Verstärkerfunktion Nein | ||
Montage Typ THT | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
Diodenmaterial Si | ||
Wellenlänge min. 600nm | ||
Höhe über Panel 3.25mm | ||
Spitzenphotosensibilität 50A/W | ||
Durchmesser 5.4mm | ||
Polarität Umgekehrt | ||
- Ursprungsland:
- US