OSI Optoelectronics Fotodiode Ultraviolett 65 ° 720 nm, Durchsteckmontage TO-8-Gehäuse 2-Pin

Alle Fotodioden anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

73,92 €

(ohne MwSt.)

87,96 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 30 Einheit(en) mit Versand ab 26. Juni 2026
  • Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 02. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 473,92 €
5 - 970,88 €
10 +69,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
848-6281
Herst. Teile-Nr.:
UV-035EQ
Marke:
OSI Optoelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

OSI Optoelectronics

Erkannte Spektren

Ultraviolett

Produkt Typ

Fotodiode

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

720nm

Gehäusegröße

TO-8

Verpackungsart

Band und Rolle

Montageart

Durchsteckmontage

Anzahl der Pins

2

Wellenlänge min.

320nm

erfasste Wellenlänge max.

1100nm

Fallzeit typ.

0.6ns

Verstärkt

Nein

Betriebstemperatur min.

-25°C

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

5.21mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5mm

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

65 °

Durchmesser

13.97mm

Polarität

Invertiert

Durchschlagspannung

30V

Automobilstandard

Nein

Regelanstiegszeit

0.6ns

Dunkelstrom

0.2nA

Fotodioden der Serie UV Enhanced von OSI


Bei der Serie UV Enhanced von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Serie von Silizium-Fotodioden mit verbesserter UV-Empfindlichkeit. Diese Serie umfasst zwei separate Produktfamilien von Fotodioden: Inversionskanal- und planare diffuse Struktur. Beide Familien sind für rauscharme Erkennung im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums ausgelegt.

Die Produktfamilie mit Inversionsschichtstruktur zeigt 100 % interne Quanten-Ausbeute. Mit hohem Shuntwiderstand, rauscharmem Verhalten und hohen Durchschlagsspannungen ist diese Familie von Fotodioden ideal für Lichtmessungen mit niedriger Intensität.

Fotodioden mit der planaren diffusen Struktur bieten eine niedrigere Kapazität und höhere Ansprechzeit im Vergleich zur Inversionsschichtfamilie. Sie zeigen außerdem Linearität des Fotostroms bis zu höherer Lichteingangsleistung im Vergleich zu den Inversionsschicht-Fotodioden.

Geeignete Anwendungen für die Serie UV Enhanced ist die Überwachung der Verschmutzung, medizintechnische Messtechnik, UV-Belichtungsmesser, Spektroskopie, Wasseraufbereitung und Fluoreszenz.

Merkmale der Serie UV Enhanced:

Inversionsschichten oder planare diffuse Silizium-Fotodioden

Ausgezeichnetes UV-Ansprechen

Fotodioden, OSI Optoelectronics


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.