OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 176-9786
- Herst. Teile-Nr.:
- UV-100L
- Marke:
- OSI Optoelectronics
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- OSI Optoelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | OSI Optoelectronics | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fotodiode | |
| Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 254nm | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Anzahl der Pins | 3 | |
| erfasste Wellenlänge max. | 254nm | |
| Fallzeit typ. | 0.6ns | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Verstärkt | Nein | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 24.76mm | |
| Höhe | 4.826mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Durchmesser | 25.4 mm | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 65 ° | |
| Regelanstiegszeit | 5.9ns | |
| Durchschlagspannung | 30V | |
| Polarität | Vorwärts | |
| Serie | UV | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Dunkelstrom | 0.5nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke OSI Optoelectronics | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fotodiode | ||
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 254nm | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Anzahl der Pins 3 | ||
erfasste Wellenlänge max. 254nm | ||
Fallzeit typ. 0.6ns | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Verstärkt Nein | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 24.76mm | ||
Höhe 4.826mm | ||
Breite 5 mm | ||
Durchmesser 25.4 mm | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 ° | ||
Regelanstiegszeit 5.9ns | ||
Durchschlagspannung 30V | ||
Polarität Vorwärts | ||
Serie UV | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dunkelstrom 0.5nA | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- US
OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.
ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen
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