OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 176-9786
Herst. Teile-Nr.:: UV-100L
Marke:: OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: UV-100L
Marke:: OSI Optoelectronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	OSI Optoelectronics
	Erkannte Spektren	Infrarot
	Produkt Typ	Fotodiode
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit	254nm
	Montageart	Durchsteckmontage
	Verpackungsart	Band und Rolle
	Anzahl der Pins	3
	erfasste Wellenlänge max.	254nm
	Fallzeit typ.	0.6ns
	Verstärkt	Nein
	Betriebstemperatur min.	-25°C
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	5 mm
	Höhe	4.826mm
	Länge	24.76mm
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	65 °
	Durchmesser	25.4 mm
	Polarität	Vorwärts
	Automobilstandard	Nein
	Serie	UV
	Regelanstiegszeit	5.9ns
	Durchschlagspannung	30V
	Dunkelstrom	0.5nA

	Alle auswählen
	Marke OSI Optoelectronics
	Erkannte Spektren Infrarot
	Produkt Typ Fotodiode
	Wellenlänge der max. Empfindlichkeit 254nm
	Montageart Durchsteckmontage
	Verpackungsart Band und Rolle
	Anzahl der Pins 3
	erfasste Wellenlänge max. 254nm
	Fallzeit typ. 0.6ns
	Verstärkt Nein
	Betriebstemperatur min. -25°C
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 5 mm
	Höhe 4.826mm
	Länge 24.76mm
	Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 65 °
	Durchmesser 25.4 mm
	Polarität Vorwärts
	Automobilstandard Nein
	Serie UV
	Regelanstiegszeit 5.9ns
	Durchschlagspannung 30V
	Dunkelstrom 0.5nA

Datasheet

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: US

OSI Optoelectronics bietet zwei verschiedene Familien von UV-verstärkten Silizium-Photodioden an. Inversionskanal-Serie und planare diffuse Serie. Beide Gerätefamilien sind speziell für die rauscharme Detektion im UV-Bereich des elektromagnetischen Spektrums konzipiert. Inversionsschichtstruktur UV-verstärkte Photodioden weisen eine 100%-ige interne Quanteneffizienz auf und sind gut geeignet für Lichtmessungen mit geringer Intensität. Sie haben einen hohen Nebenschlusswiderstand, geringes Rauschen und hohe Durchschlagsspannungen. Die Gleichmäßigkeit des Ansprechverhaltens über die Oberfläche und die Quanteneffizienz verbessern sich mit 5 bis 10 Volt angelegter Sperrvorspannung.

ProduktanwendungenVerschmutzungsüberwachungMedizintechnische MesstechnikUV-BelichtungsmesserErweiterte RealitätWasseraufbereitungFluoreszenzProduktmerkmaleInversionsreihe: 100 % Interne QEHoher NebenschlusswiderstandAusgezeichnetes UV-Ansprechen

OSI Optoelectronics UV Fotodiode Infrarot 65 ° 254 nm, Durchsteckmontage 3-Pin

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