OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin

Bei der APD-Serie 8-150 von OSI Optoelectronics handelt es sich um eine Produktfamilie von Silizium-Stoßentladungs-Fotodioden, optimiert für den Betrieb mit 800 nm Wellenlängen. Sie werden in hermetisch versiegelten Metallgehäusen mit Durchmesseroptionen der aktiven Fläche von 0,2, 0,5, 1 oder 1,5 mm geliefert. Die Fotodioden der APD-Serie 8-150 bieten rauscharmes Verhalten und hohe Empfindlichkeit über Bandbreiten bis zu 1 GHz. Geeignete Anwendungen für die Fotodioden der Serie APD 8-150 umfassen die faseroptische Kommunikation, Laserentfernungsmesser und Lichtstärkemessung mit hoher Geschwindigkeit.

Merkmale der APD-Serie 8-150:
Gehäuse: TO-52 und TO-5
Niedriger Temperaturkoeffizient: 0,45 V/°C
Hohe Empfindlichkeit
Rauscharm
Große Bandbreite
Betriebstemperatur: –40 °C bis +100 °C

Fotodioden, OSI Optoelectronics