- RS Best.-Nr.:
- 912-8306
- Herst. Teile-Nr.:
- BPX 65
- Marke:
- ams OSRAM
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Produktdetails
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse
Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.
Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode:
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit
Metallzylindergehäuse TO-18
Durchgangsbohrung
Wellenlänge: 350 bis 1100 nm
Kurze Schaltzeit
IR-Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Erkennbare Spektren | IR |
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit | 850nm |
Gehäusetyp | TO18 |
Verstärkerfunktion | Nein |
Montage Typ | THT |
Anzahl der Pins | 2 |
Diodenmaterial | Si |
Wellenlänge min. | 350nm |
Wellenlänge max. | 1100nm |
Fallzeit typ. | 0.012µs |
Breite | 5.5mm |
Durchmesser | 4.8mm |
Polarität | Plus |
Kurzschlussstrom | 10µA |
Regelanstiegszeit | 0.012µs |
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