ams OSRAM Fotodiode IR 950nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

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RS Best.-Nr.:
912-8548
Herst. Teile-Nr.:
BP 104 FS-Z
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Erkennbare Spektren

IR

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit

950nm

Gehäusetyp

DIP

Montage Typ

SMD

Verstärkerfunktion

Nein

Anzahl der Pins

2

Diodenmaterial

Si

Wellenlänge min.

800nm

Wellenlänge max.

1100nm

Länge

4.5mm

Breite

4mm

Höhe über Panel

1.2mm

Spitzenphotosensibilität

0.7A/W

Polarität

Positiv

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

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