ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350nm → 970nm / 25μA, 3-Pin DIP

RS Best.-Nr.:: 539-858
Herst. Teile-Nr.:: SFH 3410-3/4-Z
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, UV, sichtbares Licht, 350nm → 970nm / 25μA, 3-Pin DIP

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Produktdetails

Umgebungslichtsensoren - Vlambda

Eine Serie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors mit verbesserten V-Lambda-Eigenschaften. Diese kompakten Fototransistoren sind für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet einschließlich: Umgebungslichtdetektoren, Belichtungsmesser für Tageslicht und Kunstlicht, Sensoren für das Dimmen von Hintergrundbeleuchtung sowie für Steuerungs- und Antriebsschaltkreise.

Angepasst an menschliche Spektralempfindlichkeit (Vλ)

Umgebungslichtsensoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR, UV, sichtbares Licht
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	25µA
Dunkelstrom max.	3nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	120 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	3
Montage Typ	Oberflächenmontage
Gehäusetyp	DIP
Abmessungen	2.1 x 2.7 x 1.05mm
Kollektorstrom	20mA
Wellenlänge max.	970nm
Wellenlänge min.	350nm
Empfindlichkeit im Spektralbereich	350 → 970 nm
Länge	2.1mm
Breite	2.7mm
Höhe über Panel	1.05mm