ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, 470nm → 670nm / 80μA, 2-Pin LED Chip

RS Best.-Nr.:: 913-3685
Herst. Teile-Nr.:: SFH 3711
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, 470nm → 670nm / 80μA, 2-Pin LED Chip

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Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Umgebungslichtsensoren - Vlambda

Eine Serie von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors mit verbesserten V-Lambda-Eigenschaften. Diese kompakten Fototransistoren sind für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet einschließlich: Umgebungslichtdetektoren, Belichtungsmesser für Tageslicht und Kunstlicht, Sensoren für das Dimmen von Hintergrundbeleuchtung sowie für Steuerungs- und Antriebsschaltkreise.

Angepasst an menschliche Spektralempfindlichkeit (Vλ)

Umgebungslichtsensoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Lichtstrom max.	80µA
Dunkelstrom max.	3nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	± 60°
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	SMD
Gehäusetyp	LED Chip
Abmessungen	2.1 x 0.95 x 1.35mm
Kollektorstrom	20mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	470 → 670 nm
Wellenlänge max.	670nm
Wellenlänge min.	470nm
Länge	2.1mm
Höhe über Panel	1.35mm
Breite	0.95mm

RS Best.-Nr.:: 913-3685
Herst. Teile-Nr.:: SFH 3711
Marke:: ams OSRAM

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ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, 470nm → 670nm / 80μA, 2-Pin LED Chip

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Umgebungslichtsensoren - Vlambda

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Umgebungslichtsensoren - Vlambda

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