ams OSRAM 60 ° Fototransistor Sichtbares Licht, Infrarot 7 μs / 50 μA Klares Epoxid
- RS Best.-Nr.:
- 262-3319
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 3204
- Marke:
- ams OSRAM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Erkannte Spektren | Sichtbares Licht, Infrarot | |
| Fallzeit typ. | 7μs | |
| Regelanstiegszeit | 7μs | |
| Wellenlänge Spitze | 920nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | 3000 Stück pro PU | |
| Lichtstrom max. | 50μA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 60 ° | |
| Gehäusegröße | Klares Epoxid | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Normen/Zulassungen | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,Class 2) | |
| Kollektorstrom | 15mA | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 15V | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Erkannte Spektren Sichtbares Licht, Infrarot | ||
Fallzeit typ. 7μs | ||
Regelanstiegszeit 7μs | ||
Wellenlänge Spitze 920nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart 3000 Stück pro PU | ||
Lichtstrom max. 50μA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 60 ° | ||
Gehäusegröße Klares Epoxid | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Normen/Zulassungen ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,Class 2) | ||
Kollektorstrom 15mA | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 15V | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 7V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der ams OSRAM Micro SIDELED Silizium-NPN-Fototransistor von OSRAM hat einen typischen Spektralbereich von Empfindlichkeit zwischen 450 und 1120 nm. Diese Silizium-NPN-Fototransistoren eignen sich für elektronische Geräte und Gestenerkennungsanwendungen.
Das Gehäuse besteht aus schwarzem Epoxidharz
Großer Betrachtungswinkel: ±60°
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