ams OSRAM 60 ° Fototransistor Sichtbares Licht, Infrarot 7 μs / 50 μA Klares Epoxid

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RS Best.-Nr.:
262-3319
Herst. Teile-Nr.:
SFH 3204
Marke:
ams OSRAM
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Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Sichtbares Licht, Infrarot

Fallzeit typ.

7μs

Wellenlänge Spitze

920nm

Regelanstiegszeit

7μs

Verpackungsart

3000 Stück pro PU

Anzahl der Kanäle

1

Lichtstrom max.

50μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

60 °

Gehäusegröße

Klares Epoxid

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Kollektorstrom

15mA

Normen/Zulassungen

ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,Class 2)

Automobilstandard

Nein

Emitter-Kollektor-Spannung

7V

Kollektor-Emitter-Spannung

15V

Der ams OSRAM Micro SIDELED Silizium-NPN-Fototransistor von OSRAM hat einen typischen Spektralbereich von Empfindlichkeit zwischen 450 und 1120 nm. Diese Silizium-NPN-Fototransistoren eignen sich für elektronische Geräte und Gestenerkennungsanwendungen.

Das Gehäuse besteht aus schwarzem Epoxidharz

Großer Betrachtungswinkel: ±60°

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