ams OSRAM 60 ° Fototransistor Sichtbares Licht, Infrarot 7 μs / 50 μA Klares Epoxid

Alle Fototransistoren anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
262-3317
Herst. Teile-Nr.:
SFH 3204
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Erkannte Spektren

Sichtbares Licht, Infrarot

Produkt Typ

Fototransistor

Fallzeit typ.

7μs

Regelanstiegszeit

7μs

Wellenlänge Spitze

920nm

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

3000 Stück pro PU

Lichtstrom max.

50μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

60 °

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

Klares Epoxid

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Normen/Zulassungen

ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM,Class 2)

Kollektorstrom

15mA

Automobilstandard

Nein

Emitter-Kollektor-Spannung

7V

Kollektor-Emitter-Spannung

15V

Ursprungsland:
CN
Der ams OSRAM Micro SIDELED Silizium-NPN-Fototransistor von OSRAM hat einen typischen Spektralbereich von Empfindlichkeit zwischen 450 und 1120 nm. Diese Silizium-NPN-Fototransistoren eignen sich für elektronische Geräte und Gestenerkennungsanwendungen.

Das Gehäuse besteht aus schwarzem Epoxidharz

Großer Betrachtungswinkel: ±60°

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.