ams OSRAM SIDELED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 80 μA, 2-Pin PLCC
- RS Best.-Nr.:
- 168-5306
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 325 FA-3/4
- Marke:
- ams OSRAM
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- SFH 325 FA-3/4
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- ams OSRAM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 7μs | |
| Regelanstiegszeit | 7μs | |
| Wellenlänge Spitze | 980nm | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Lichtstrom max. | 80μA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 120 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | PLCC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Breite | 4.2mm | |
| Länge | 4.2mm | |
| Kollektorstrom | 15mA | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 3.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | SIDELED | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 35V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 7μs | ||
Regelanstiegszeit 7μs | ||
Wellenlänge Spitze 980nm | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Lichtstrom max. 80μA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 120 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße PLCC | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Breite 4.2mm | ||
Länge 4.2mm | ||
Kollektorstrom 15mA | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 3.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie SIDELED | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 35V | ||
Fototransistor SIDELED®-Gehäuse
Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.
Hohe Linearität
P-LCC-2-Gehäuse
Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm
Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung
IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors
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