ams OSRAM SIDELED SMD 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 80 μA, 2-Pin PLCC

Alle Fototransistoren anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

344,00 €

(ohne MwSt.)

410,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +0,172 €344,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-5306
Herst. Teile-Nr.:
SFH 325 FA-3/4
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Regelanstiegszeit

7μs

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

80μA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

SMD

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

PLCC

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Breite

4.2mm

Höhe

3.8mm

Länge

4.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Kollektorstrom

15mA

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Serie

SIDELED

Automobilstandard

Nein

Fototransistor SIDELED®-Gehäuse


Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors wird in ihrem SIDELED® -SMD-Gehäuse versandt.

Hohe Linearität

P-LCC-2-Gehäuse

Abmessungen: 4,2 x 4,2 x 3,8 mm

Nur geeignet für IR-Aufschmelzlötung

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links