ams OSRAM TOPLED Oberfläche 120 ° Fototransistor Infrarot 7 μs / 1 mA, 2-Pin PLCC

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

4,09 €

(ohne MwSt.)

4,87 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1.260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,409 €4,09 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
665-5401
Herst. Teile-Nr.:
SFH 320 FA-4
Marke:
ams OSRAM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ams OSRAM

Erkannte Spektren

Infrarot

Produkt Typ

Fototransistor

Fallzeit typ.

7μs

Wellenlänge Spitze

980nm

Regelanstiegszeit

7μs

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Band und Rolle

Lichtstrom max.

1mA

Dunkelstrom max.

50nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

120 °

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

PLCC

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Kollektorstrom

15mA

Breite

3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

2mm

Durchmesser

450μm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Kollektor-Emitter-Spannung

35V

Serie

TOPLED

Fototransistor TOPLED®-Gehäuse


Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.

Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren:

Hohe Linearität

PLCC-2-Gehäuse

Oberflächenmontage (SMD)

Halber Winkel: 60°

Geeignet für alle Lötmethoden

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.