ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC

RS Best.-Nr.:: 168-5381
Herst. Teile-Nr.:: SFH 320 FA-4-Z
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC

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RS Best.-Nr.:: 168-5381
Herst. Teile-Nr.:: SFH 320 FA-4-Z
Marke:: ams OSRAM

Mehr Infos und technische Dokumente

SFH 320 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED Package Data Sheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Fototransistor TOPLED®-Gehäuse

Diese NPN-Fototransistoren von Osram Opto Semiconductors sind aus der TOPLED®-Serie. Die TOPLED®-Fototransistoren haben ein SMD-PLCC-2-Gehäuse mit eine klaren oder tageslichtdiffusen Linse.

Merkmale der TOPLED®-Fototransistoren:
Hohe Linearität
PLCC-2-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Halber Winkel: 60°
Geeignet für alle Lötmethoden

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR
Fallzeit typ.	7µs
Regelanstiegszeit	7µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	1000µA
Dunkelstrom max.	50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	120°
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	2
Montage Typ	SMD
Gehäusetyp	PLCC
Abmessungen	3.4 x 3 x 2mm
Kollektorstrom	15mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	750 → 1120 nm
Wellenlänge max.	1120nm
Wellenlänge min.	750nm
Länge	3.4mm
Serie	TOPLED
Breite	3mm
Höhe über Panel	2mm