Vishay VEMT Oberfläche Fototransistor Infrarot 4.3 μs / 2.7 mA, 2-Pin SMD

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
230-8375
Herst. Teile-Nr.:
VEMT2003X01
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Fototransistor

Erkannte Spektren

Infrarot

Fallzeit typ.

7.7μs

Regelanstiegszeit

4.3μs

Anzahl der Kanäle

1

Lichtstrom max.

2.7mA

Anzahl der Pins

2

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

SMD

Serie

VEMT

Die epitaxialen Silizium-NPN-Planar-Fototransistoren von Vishay mit Tageslichtblockierfilter in einem schwarzen Miniatur-Kuppelobjektivgehäuse für die Oberflächenmontage. Die Filterbandbreite passt zu IR-Emittern von 830 nm bis 950 nm. Es hat eine hohe Strahlungsempfindlichkeit und schnelle Ansprechzeiten. Es wird in umgekehrter Gullwing-Gehäuseform geliefert und unterstützt bleifreies (Pb)-Reflow-Lötverfahren.

Er erfüllt die RoHS-Richtlinie und ist bleifrei

Es ist AEC-Q101-qualifiziert

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