Vishay BPV11 Durchsteckmontage 15 ° Fototransistor Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung 6 μs / 10 mA
- RS Best.-Nr.:
- 257-6813
- Herst. Teile-Nr.:
- BPV11
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 5μs | |
| Regelanstiegszeit | 6μs | |
| Wellenlänge Spitze | 850nm | |
| Verpackungsart | Wolle | |
| Lichtstrom max. | 10mA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 15 ° | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | Drahtanschluss | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Länge | 5.75mm | |
| Breite | 5.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Durchmesser | 5mm | |
| Höhe | 8mm | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 70V | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
| Serie | BPV11 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren Nahinfrarotstrahlung, Sichtbare Infrarotstrahlung | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 5μs | ||
Regelanstiegszeit 6μs | ||
Wellenlänge Spitze 850nm | ||
Verpackungsart Wolle | ||
Lichtstrom max. 10mA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 15 ° | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße Drahtanschluss | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Länge 5.75mm | ||
Breite 5.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Durchmesser 5mm | ||
Höhe 8mm | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Emitter-Kollektor-Spannung 70V | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Serie BPV11 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Silizium-NPN-Fototransistor von Vishay hat eine hohe Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten T-13⁄4-Kunststoffgehäuse mit Sockelklemme. Es ist empfindlich gegenüber sichtbarer und naher Infrarotstrahlung. Es handelt sich um einen mit einer Basisklemme verbundenen Fototransistor mit schnellen Ansprechzeiten.
Hohe Lichtempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und nahezu Infrarotstrahlung
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