Vishay Fototransistor Nah-IR, sichtbare IR Strahlung 6μs

RS Best.-Nr.:: 257-6913
Herst. Teile-Nr.:: VEMT3700F-GS08
Marke:: Vishay

Vishay Fototransistor Nah-IR, sichtbare IR Strahlung 6μs

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Datasheet - VEMT3700F-GS08

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Produktdetails

Der Silizium-NPN-Fototransistor von Vishay ist ein epitaxialer Hochgeschwindigkeits-Silizium-NPN-Fototransistor in einem Miniatur-PLCC-2-Gehäuse für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten. Das Gerät ist empfindlich gegenüber sichtbarer und naher Infrarotstrahlung.

Hohe Lichtempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Geeignet für sichtbare und nahezu Infrarotstrahlung
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel der halben Empfindlichkeit: φ = ±60°
Gehäusespitze zeigt Kollektor an

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	Nah-IR, sichtbare IR Strahlung
Fallzeit typ.	2µs
Regelanstiegszeit	6µs

RS Best.-Nr.:: 257-6913
Herst. Teile-Nr.:: VEMT3700F-GS08
Marke:: Vishay

Datasheet - VEMT3700F-GS08

Vishay Fototransistor Nah-IR, sichtbare IR Strahlung 6μs

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