ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18

RS Best.-Nr.:: 654-8384
Herst. Teile-Nr.:: BPY 62-3/4
Marke:: ams OSRAM

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 12μs, 400nm → 1100nm / 5800μA, 3-Pin TO18

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Herst. Teile-Nr.:: BPY 62-3/4
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Produktdetails

Fototransistor-Gehäuse TO-18

Diese Familie von NPN-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in durchkontaktierten TO-18-Standardgehäusen. Durch diese TO-18-Metallgehäuse sind diese Fototransistoren ideal für Anwendungen in schwierigen Umgebungen.

IR-Fototransistoren, OSRAM Opto Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Erkennbare Spektren	IR, Sichtbares Licht
Fallzeit typ.	12µs
Regelanstiegszeit	12µs
Anzahl der Kanäle	1
Lichtstrom max.	5800µA
Dunkelstrom max.	50nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel	16 °
Polarität	NPN
Anzahl der Pins	3
Montage Typ	Durchsteckmontage
Gehäusetyp	TO18
Abmessungen	5.6 x 5.6 x 6.2mm
Kollektorstrom	100mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich	400 → 1100 nm
Wellenlänge max.	1100nm
Wellenlänge min.	400nm
Breite	5.6mm
Länge	5.6mm
Höhe über Panel	6.2mm