Infineon FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit 70ns Parallel SMD SOIC 28-Pin 2,7 V bis 5,5 V

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.

Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch

256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 32 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM- und EEPROM-kompatibel
32 K x 8 SRAM- und EEPROM-Pinbelegung nach Industriestandard
70 ns Zugriffszeit, 130 ns Zykluszeit
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Beständig gegen negative Spannungsunterschreitungen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 12 mA (max.)
Standby-Strom 20 μA (typ.)
Großer Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 5,5 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
28-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.