Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 bit 3000ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V
- RS Best.-Nr.:
- 125-4207P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
480 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (in Stange(n))
1,69 €
(ohne MwSt.)
2,01 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 15 - 25 | 1,69 € |
| 30 - 95 | 1,656 € |
| 100 - 495 | 1,466 € |
| 500 + | 1,424 € |
- RS Best.-Nr.:
- 125-4207P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 128 K x 16
Konfigurierbar als 256 K x 8 mit UB und LB
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb bis 30 ns Zykluszeit
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
128 K x 16 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
60 ns Zugriffszeit, 90 ns Zykluszeit
Erweiterte Funktionen
Softwareprogrammierbarer Blockschreibschutz
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 7 mA (typ.)
Standby-Strom 120 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
44-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ II
Konfigurierbar als 256 K x 8 mit UB und LB
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb bis 30 ns Zykluszeit
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
128 K x 16 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
60 ns Zugriffszeit, 90 ns Zykluszeit
Erweiterte Funktionen
Softwareprogrammierbarer Blockschreibschutz
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 7 mA (typ.)
Standby-Strom 120 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
44-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ II
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4kbit |
| Organisation | 512 x 8 bit |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) |
| Datenbus-Breite | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 3000ns |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Pinanzahl | 8 |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Länge | 4.97mm |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
| Breite | 3.98mm |
| Höhe | 1.48mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Anzahl der Wörter | 512 |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |
- RS Best.-Nr.:
- 125-4207P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-G
- Marke:
- Infineon
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 128 K x 16
Konfigurierbar als 256 K x 8 mit UB und LB
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb bis 30 ns Zykluszeit
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
128 K x 16 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
60 ns Zugriffszeit, 90 ns Zykluszeit
Erweiterte Funktionen
Softwareprogrammierbarer Blockschreibschutz
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 7 mA (typ.)
Standby-Strom 120 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
44-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ II
Konfigurierbar als 256 K x 8 mit UB und LB
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb bis 30 ns Zykluszeit
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
128 K x 16 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
60 ns Zugriffszeit, 90 ns Zykluszeit
Erweiterte Funktionen
Softwareprogrammierbarer Blockschreibschutz
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 7 mA (typ.)
Standby-Strom 120 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
44-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ II
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 4kbit |
| Organisation | 512 x 8 bit |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) |
| Datenbus-Breite | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 3000ns |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Pinanzahl | 8 |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Länge | 4.97mm |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V |
| Breite | 3.98mm |
| Höhe | 1.48mm |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Anzahl der Wörter | 512 |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Automobilstandard | AEC-Q100 |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V |