Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4208
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C16B-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 125-4208
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C16B-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 16kbit | |
| Organisation | 2K x 8 Bit | |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Wörter | 2K | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 16kbit | ||
Organisation 2K x 8 Bit | ||
Interface-Typ Seriell (2-Draht, I2C) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Wörter 2K | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
4 μA (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 4,5 V bis 5,5 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
4 μA (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 4,5 V bis 5,5 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
