Infineon FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit 3000ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,65 V
- RS Best.-Nr.:
- 125-4212P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL16B-G
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 16kbit | |
| Organisation | 2K x 8 Bit | |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,65 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Wörter | 2K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 16kbit | ||
Organisation 2K x 8 Bit | ||
Interface-Typ Seriell (2-Draht, I2C) | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 3000ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,65 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Wörter 2K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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