Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 1MBit, 128K x 8 bit Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4216
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24VN10-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 125-4216
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24VN10-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Seriell (2-Draht, I2C) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Interface-Typ Seriell (2-Draht, I2C) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
1 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 128K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle zweiadrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM24VN10)
Geringer Stromverbrauch
175 μA Wirkstrom bei 100 kHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA (typ.) Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle zweiadrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID und Seriennummer
Hersteller-ID und Produkt-ID
Eindeutige Seriennummer (FM24VN10)
Geringer Stromverbrauch
175 μA Wirkstrom bei 100 kHz
90 μA (typ.) Standby-Strom
5 μA (typ.) Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
