Infineon FRAM 4 MB, 512kB x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

RS Best.-Nr.:: 181-1574
Herst. Teile-Nr.:: CY15B104Q-LHXI
Marke:: Infineon

Infineon FRAM 4 MB, 512kB x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

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RS Best.-Nr.:: 181-1574
Herst. Teile-Nr.:: CY15B104Q-LHXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MB
	Produkt Typ	FRAM
	Organisation	512kB x 8 Bit
	Schnittstellentyp	SPI
	Datenbus-Breite	8bit
	Zugriffszeit max.	16ns
	Montageart	Oberfläche
	Taktfrequenz max.	40MHz
	Gehäusegröße	DFN
	Pinanzahl	8
	Breite	6 mm
	Höhe	0.75mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Maximale Betriebstemperatur	85°C
	Automobilstandard	Nein
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Anzahl der Bits pro Wort	8
	Anzahl der Wörter	512K
	Maximale Versorgungsspannung	3.6V
	Minimale Versorgungsspannung	2V

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MB
	Produkt Typ FRAM
	Organisation 512kB x 8 Bit
	Schnittstellentyp SPI
	Datenbus-Breite 8bit
	Zugriffszeit max. 16ns
	Montageart Oberfläche
	Taktfrequenz max. 40MHz
	Gehäusegröße DFN
	Pinanzahl 8
	Breite 6 mm
	Höhe 0.75mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen No
	Maximale Betriebstemperatur 85°C
	Automobilstandard Nein
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Anzahl der Bits pro Wort 8
	Anzahl der Wörter 512K
	Maximale Versorgungsspannung 3.6V
	Minimale Versorgungsspannung 2V

Datasheet

4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch

Organisiert als 512 K x 8

Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)

151 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 40 MHz Frequenz

Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geräte-ID

Hersteller-ID und Produkt-ID

Geringer Stromverbrauch

300° A Wirkstrom bei 1 MHz

100° A (typ.) Standby-Strom

Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)

Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V

Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.

Gehäuse

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)

Infineon FRAM 4 MB, 512kB x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

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