Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 512 kB x 8 16ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V

RS Best.-Nr.:: 181-1574
Herst. Teile-Nr.:: CY15B104Q-LHXI
Marke:: Infineon

Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 512 kB x 8 16ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:: 181-1574
Herst. Teile-Nr.:: CY15B104Q-LHXI
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Speicher Größe	4MBit
	Organisation	512 kB x 8
	Interface-Typ	Seriell-SPI
	Datenbus-Breite	8bit
	Zugriffszeit max.	16ns
	Montage-Typ	SMD
	Gehäusegröße	DFN
	Pinanzahl	8
	Abmessungen	6 x 5 x 0.7mm
	Länge	5mm
	Breite	6mm
	Arbeitsspannnung max.	3,6 V
	Höhe	0.7mm
	Betriebstemperatur max.	+85 °C
	Arbeitsspannnung min.	2 V
	Anzahl der Bits pro Wort	8bit
	Anzahl der Wörter	512K
	Betriebstemperatur min.	–40 °C

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Speicher Größe 4MBit
	Organisation 512 kB x 8
	Interface-Typ Seriell-SPI
	Datenbus-Breite 8bit
	Zugriffszeit max. 16ns
	Montage-Typ SMD
	Gehäusegröße DFN
	Pinanzahl 8
	Abmessungen 6 x 5 x 0.7mm
	Länge 5mm
	Breite 6mm
	Arbeitsspannnung max. 3,6 V
	Höhe 0.7mm
	Betriebstemperatur max. +85 °C
	Arbeitsspannnung min. 2 V
	Anzahl der Bits pro Wort 8bit
	Anzahl der Wörter 512K
	Betriebstemperatur min. –40 °C

Datasheet

4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 512 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
100° A (typ.) Standby-Strom
Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)

Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 512 kB x 8 16ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V

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