Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 512 kB x 8 16ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V

4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 512 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 40 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
100° A (typ.) Standby-Strom
Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)