Infineon FRAM 64 kB, 8K x 8 bit 25 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-7565
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064Q-SXE
- Marke:
- Infineon
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- 181-7565
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064Q-SXE
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 25ns | |
| Taktfrequenz max. | 16MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 3.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 25ns | ||
Taktfrequenz max. 16MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 3.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.8 mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
64-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Datenspeicherung und
Dauerhaltungstabelle)
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 16 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
300° A Wirkstrom bei 1 MHz
6° A (typ.) Standby-Strom bei +85° C
Niederspannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
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