Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 16kbit, 2K x 8 Bit SPI SMD DFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 182-3303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-DG
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 182-3303
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25L16B-DG
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 16kbit | |
| Organisation | 2K x 8 Bit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.5 x 4 x 0.7mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 2K | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 16kbit | ||
Organisation 2K x 8 Bit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.5 x 4 x 0.7mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 2K | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
- Ursprungsland:
- US
Ferroelektrischer 16-Kbit-Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 2K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200 μA Wirkstrom bei 1 MHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200 μA Wirkstrom bei 1 MHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)
