Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 bit I2C SMD SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5398
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL04B-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 188-5398
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24CL04B-G
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 4kbit | |
| Organisation | 512 x 8 bit | |
| Interface-Typ | I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,65 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 4kbit | ||
Organisation 512 x 8 bit | ||
Interface-Typ I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,65 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
- Ursprungsland:
- US
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
100 μA Wirkstrom bei 100 kHz
3 μA (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,65 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)