Infineon FRAM 128 kB, 16k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5417
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V01A-G
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 97 Stück)*
353,856 €
(ohne MwSt.)
421,077 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 97 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 1.164 Einheit(en) mit Versand ab 06. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 3,648 € | 353,86 € |
| 194 - 194 | 3,389 € | 328,73 € |
| 291 - 485 | 3,301 € | 320,20 € |
| 582 - 970 | 3,218 € | 312,15 € |
| 1067 + | 3,134 € | 304,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5417
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V01A-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 128kB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 16k x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 16ns | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Höhe | 1.38mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.97mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 16k | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 128kB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 16k x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 16ns | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 3.98 mm | ||
Höhe 1.38mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.97mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 16k | ||
- Ursprungsland:
- US
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.