Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 128.000 x 8 Bit 60ns Parallel SMD TSOP 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
188-5427
Herst. Teile-Nr.:
FM28V202A-TG
Marke:
Cypress Semiconductor
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Marke

Cypress Semiconductor

Speicher Größe

2MBit

Organisation

128.000 x 8 Bit

Interface-Typ

Parallel

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

60ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

44

Abmessungen

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Anzahl der Wörter

128k

Automobilstandard

AEC-Q100

Arbeitsspannnung min.

2 V

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
US
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 128 K x 16
Konfigurierbar als 256 K x 8 mit UB und LB
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
NODELAY ® schreibt
Seitenmodusbetrieb bis 30 ns Zykluszeit
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
SRAM-kompatibel
128 K x 16 SRAM-Pinbelegung nach Industriestandard
60 ns Zugriffszeit, 90 ns Zykluszeit
Erweiterte Funktionen
Softwareprogrammierbarer Blockschreibschutz
Überlegen gegenüber batteriegestützten SRAM-Modulen
Keine Probleme mit der Batterie
Monolithische Zuverlässigkeit
Echte SMD-Lösung, keine Nachbearbeitungsschritte
Überlegen für Feuchtigkeit, Stöße und Vibrationen
Geringer Stromverbrauch
Wirkstrom: 7 mA (typ.)
Standby-Strom 120 μA (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
44-poliges dünnes kleines Umrissgehäuse (TSOP) Typ II