Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 256kbit, 32K x 8 bit SPI SMD DFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 193-8500
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V02A-DGQ
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V02A-DGQ
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 256kbit | |
| Organisation | 32K x 8 bit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4 x 4.5 x 0.7mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Anzahl der Wörter | 32 k | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 256kbit | ||
Organisation 32K x 8 bit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4 x 4.5 x 0.7mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Anzahl der Wörter 32 k | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
256-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 32 K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
5-mA-Wirkstrom bei 33 MHz
500 A Standby-Strom
12-A-Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
5-mA-Wirkstrom bei 33 MHz
500 A Standby-Strom
12-A-Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges zweifaches DFN-Gehäuse (Flat No-Lead)
