Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 8MBit, 1024K x 8 Bit 450 (Minimum)μs Seriell-SPI SMD GQFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 194-8824
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V108QN-20LPXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht verfügbar
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- CY15V108QN-20LPXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Cypress Semiconductor | |
| Speicher Größe | 8MBit | |
| Organisation | 1024K x 8 Bit | |
| Interface-Typ | Seriell-SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 450 (Minimum)µs | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | GQFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 3.28 x 3.33 x 0.5mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,89 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,71 V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 1024K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Cypress Semiconductor | ||
Speicher Größe 8MBit | ||
Organisation 1024K x 8 Bit | ||
Interface-Typ Seriell-SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 450 (Minimum)µs | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße GQFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 3.28 x 3.33 x 0.5mm | ||
Arbeitsspannnung max. 1,89 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 1,71 V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 1024K | ||
8-Mbit-Non-volatilememory mit geringer Leistungsaufnahme und einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Die Daten werden sofort nach der erfolgreichen Übertragung jedes Bytes auf das Gerät in das Speicher-Array geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne Datenabfrage beginnen. Bietet im Vergleich zu anderen nicht flüchtigen Speichern eine erhebliche Schreiblebensdauer. Kann 1015 Lese-/Schreibzyklen oder 1000 Millionen Mal Morewrit-Zyklen als EEPROM unterstützen. Ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder Rapid Schreibvorgänge erfordern. Bietet erhebliche Vorteile für Benutzer von seriellem EEPROM oder Flash als Hardware-Ersatz.