Cypress Semiconductor FRAM-Speicher 4kbit, 512K x 8 bit Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin

Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich einem RAM durch. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 121 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Probleme mit der Zuverlässigkeit auf Systemebene, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden. Im Gegensatz zu seriellem Flash und EEPROM führt der CY15B004Q Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus. Es entstehen keine Schreibverzögerungen. Die Daten werden sofort nach der erfolgreichen Übertragung jedes Bytes auf das Gerät in das Speicher-Array geschrieben. Der nächste Buszyklus kann ohne Datenabfrage beginnen. Darüber hinaus bietet das Produkt eine erhebliche Schreibbeständigkeit. Der CY15B004Q kann 1013 Lese-/Schreibzyklen oder 10 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM unterstützen. Diese Fähigkeiten machen den CY15B004Q ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder Rapid Schreibvorgänge erfordern. Beispiele reichen von der Datenerfassung, bei der die Anzahl der Schreibzyklen kritisch sein kann, bis hin zu anspruchsvollen industriellen Steuerungen, bei denen die lange Schreibzeit von seriellem Flash oder EEPROM zu Datenverlust führen kann.