Infineon FRAM-Speicher 4MBit, 256K x 16 bit 55ns Parallel SMD FBGA 48-Pin

Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig, d. H. Die Daten bleiben nach dem Entfernen der Stromversorgung erhalten. Sie bietet eine Datenspeicherung für mehr als 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Zuverlässigkeitsprobleme, funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegepuffertem SRAM (BBSRAM). Schnelles Schreibtiming und hohe Schreibbeständigkeit machen den F-RAM anderen Speichertypen überlegen. Der FM22LD16-Betrieb ist ähnlich wie bei anderen RAM-Geräten und kann daher als Drop-in-Ersatz für ein Standard-SRAM in einem System verwendet werden. Lese- und Schreibzyklen können durch CE oder einfach durch Änderung der Adresse ausgelöst werden. Der F-RAM-Speicher ist aufgrund seines einzigartigen ferroelektrischen Speicherprozesses nicht flüchtig. Diese Eigenschaften machen den FM22LD16 ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder Rapid Schreibvorgänge erfordern. Der FM22LD16 verfügt über einen Niederspannungsmonitor, der den Zugriff auf das Speicher-Array blockiert, wenn VDD unter VDD min fällt. Der Speicher ist unter diesem Zustand gegen unbeabsichtigten Zugriff und Datenbeschädigung geschützt.