Infineon FRAM 4 MB Quad-SPI Oberfläche SOIC 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 266-8512P
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15V104QSN-108SXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Schnittstellentyp | Quad-SPI | |
| Taktfrequenz max. | 108MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.71V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Anzahl der Wörter | 524288 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Schnittstellentyp Quad-SPI | ||
Taktfrequenz max. 108MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Automobilstandard Nein | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.71V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Anzahl der Wörter 524288 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
- Ursprungsland:
- US
Infineons Ultra Ferroelectric RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Die Daten werden sofort in das Speicherfeld geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Dieser Speicher führt Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit aus, sodass keine Schreibverzögerungen entstehen.
Serielle Einzel- und Multi-IO-Peripherieschnittstelle
Geringer Stromverbrauch bei hoher Geschwindigkeit
Dedizierter 256-Byte-Spezialsektor
Software-Blockschutz