Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8 K x 8 Parallel SOIC 28-Pin

Infineons FRAM ist ein 8 K x 8 nichtflüchtiger Speicher, der ähnlich wie ein Standard-SRAM gelesen und geschrieben werden kann. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher (FRAM) ist nicht flüchtig, d. h. die Daten bleiben auch nach dem Abschalten der Stromversorgung erhalten. Es bietet eine Datenspeicherung von über 151 Jahren und beseitigt gleichzeitig die Zuverlässigkeitsprobleme, die funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegestütztem SRAM. Schnelle Schreibzeiten und eine hohe Schreibbeständigkeit machen FRAM anderen Speichertypen überlegen. Er funktioniert ähnlich wie andere RAM-Bausteine und kann daher als Ersatz für einen Standard-SRAM in einem System verwendet werden. Die minimalen Lese- und Schreibzykluszeiten sind gleich. Der FRAM-Speicher ist aufgrund seines einzigartigen ferroelektrischen Speicherprozesses nicht flüchtig.

Geringer Stromverbrauch
SRAM- und EEPROM-kompatibel
Hohe Ausdauer, 100 Billionen Lese- und Schreibvorgänge
Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Hervorragend geeignet für Feuchtigkeit und Stöße mit Vibrationen